第1185章 光刻层(下)(1/12)
高槿之等着那一刻。
那一刻还没有到。
芯片还在光刻。
光刻的十三点五纳米光,在真空里无声地照射硅片上的光刻胶。
无声是因为真空中没有介质传播声波。
声波是机械波,需要介质。
电磁波不需要介质,可以在真空中传播。
光在真空中走了十几米,从光源到硅片,经过了二十几面反射镜的精确整形,最终以几纳米的精度,在光刻胶上画出几亿个晶体管的图案。
图案的精度不是完美的,有偏差。
偏差是光刻工艺中最顽固的敌人——对准偏差、聚焦偏差、剂量偏差、显影偏差、蚀刻偏差。
每一种偏差都在试图把图案从设计值拉偏。
拉偏就是误差。
误差累积到一定程度,晶体管就会失效。
失效就是传断了。
高槿之的工作,就是把误差控制在允许的范围内。
控制的方式是冗余和校正。
时钟树有冗余路径,关键信号有纠错编码,存储阵列有备用行和列。
冗余就是用空间换可靠性。
可靠就是信息不丢。
不丢就是传到了。
他在FAb的控制室里见过一张图,横轴是工艺节点,纵轴是缺陷密度。
每一条曲线都像一个下坡的滑雪道——开始陡,后来缓,但永远不会到零。
零缺陷在物理上是不可能的。
因为即使在洁净度一级的真空腔里,仍有气体分子残余。
残余的气体分子在极紫外光的照射下被电离,离子轰击反射镜表面,溅射出镜面材料的原子。
那些原子飘到掩模上,飘到硅片上,落在不该落的地方,成为缺陷。
缺陷密度随着光刻层数的增加而累积。
四十二层掩模,每一层都叠加了一次缺陷的概率。
概率相乘,总良率在百分之八十几到九十几之间波动。
波动的原因有时查得到——一批光刻胶的储存时间超过了保质期,一台蚀刻机的射频电源输出电压有零点三个百分点的漂移——有时查不到。
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