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第341章 与尖端的差距!林决带来的信心!(1/8)

紧接着。

一个被林决规划好的消差工程节点图,出现在众人眼中。

林决声音随之传来,

“前辈们也都清楚,EUV 反射镜多层膜的原位相位非均匀性误差,是因为8 米极紫外长光程的全局波前基线失配产生的。”

“目前我们的做法和国外一样。”

“.

.

.

.

.

.

用11 块钼硅多层膜,通过反射镜在斜入射入,让膜层反射偏差经过 8 米的光程,11的 次反射线性累积,最后形成固定波前畸变。”

“我看了胡老给的手稿。”

“目前,我们光机所单块反射镜精度极致工艺水平,面形 0.

2n RMS,13.

5n 反射率 65%.

.

.

.

.

.”

“对比蔡斯,ASML的成熟量产水平来看,面形差了0,反射率差也差了足足5%!”

“而在多次反射累计后.

.

.

.

.

.”

“这个差距变得更大了。”

“我们全链路最终波前精度是1.

2n RMS,而ASML的,是0.

15n RMS。”

“整整8倍的差距!

!

!”

“在这个数据下,实际工况仅能完成单根纳米线的原理验证!”

“没办法.

.
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